特許
J-GLOBAL ID：200903088114729019
磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242614
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086237
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果膜の下地として非磁性膜を使用する場合や製造プロセスでバイアス磁界印加膜上に不純物が残留したような場合においても、サイドフリンジやバルクハウゼンノイズなどの発生を安定して抑制する。【解決手段】 基板上に、所定の間隙をもって配置され、この間隙を挟んで対向する内側端部にそれぞれ正傾斜面14aを有する一対のバイアス磁界印加膜14を形成する。スピンバルブGMR膜15などの磁気抵抗効果膜は、一対のバイアス磁界印加膜14の端部の正傾斜面14aのみ、あるいは端部の近傍部のみと重なるように、一対のバイアス磁界印加膜14の間隙内に形成する。一対のリード電極22は、一対のバイアス磁界印加膜14の端部より内側に各リード端22aが位置するように、一対のバイアス磁界印加膜14上に形成する。
請求項（抜粋）：
所定の間隙をもって配置され、前記間隙を挟んで対向する内側端部にそれぞれ正傾斜面を有する一対のバイアス磁界印加膜と、前記一対のバイアス磁界印加膜の前記端部の正傾斜面のみと重なるように、前記一対のバイアス磁界印加膜の前記間隙内に形成され、強磁性層と非磁性導電層との積層膜を有する磁気抵抗効果膜と、前記一対のバイアス磁界印加膜の前記端部より内側に各リード端が位置するように、前記一対のバイアス磁界印加膜上に形成され、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する一対のリード電極とを具備することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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