特許

J-GLOBAL ID：200903065706817298

サ-モクロミック体及びその製造方法

発明者： 宮崎 英敏 ,  安井 至
出願人/特許権者： 安井 至 ,  日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234836
公開番号（公開出願番号）：特開2000-137251
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 幅広い酸素ガス流量比の範囲で二酸化バナジウム膜を成膜するために、遷移金属の下地膜を有するサーモクロミック体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 高周波スパッタリング装置を用いて、石英ガラス基板の上にスパッタリングによって遷移金属の下地膜を成膜し、その上に反応性スパッタリングによって二酸化バナジウムを成膜する。スパッタリング条件はスパッタリング圧力0.5〜2Pa,rf電力100W,基板温度360〜400°Cが望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は1.2〜10%の範囲であることが好適である。

請求項（抜粋）：

透明基板と、前記透明基板の表面に成膜された遷移金属の下地膜と、前記下地膜の上に成膜された二酸化バナジウム膜と、からなることを特徴とするサーモクロミック体。

IPC (4件)：

G02F 1/17 ,  C03C 17/36 ,  C09K 9/00 ,  G02F 1/01

FI (5件)：

G02F 1/17 ,  C03C 17/36 ,  C09K 9/00 E ,  G02F 1/01 A ,  G02F 1/01 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-112220
  
• 酸化バナジウム膜の電気特性制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-304226   出願人：防衛庁技術研究本部長, 日本電気株式会社
• 特公昭62-038313