半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-059377
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273066
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 0.1μm以下の浅い拡散層上にコンタクト抵抗が低く、耐熱性の高いシリサイド膜を有する半導体装置を提供する。【構成】本発明では、半導体基板11の表面に、遷移金属膜、例えばTi膜17を形成した後、窒素ガスによりたてたプラズマを用いTiタ-ゲット20をスパッタリングすることによりTiN膜18を形成し、Ti膜17への窒素の侵入を防ぎ、Ti/TiN膜の界面の窒素の組成プロファイルが急峻となるように形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に遷移金属からなる第1の膜を形成する工程と、この第1の膜の表面に遷移金属と周期律表の第2周期元素との化合物からなる第2の膜を、前記第1の膜と接する領域において、前記第2周期元素を正規組成より大きく含有せしめて形成する工程と、熱処理により前記半導体基板の表面にこの半導体基板の構成元素と前記第1の膜の遷移金属との化合物からなる第3の膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/203 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/31 D , H01L 21/31 C , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭61-183942
特開昭63-053262
特開平2-162723

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