薄膜半導体素子および薄膜トランジスタ並びにその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227028
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097427
出願日： 1994年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】接合部の抵抗値が格段に低減された薄膜半導体素子を提供し、製造工数が格段に低減された薄膜半導体素子の製造方法を提供する。【構成】原料ガス導入ライン42の圧空バルブ43が開状態で、圧空バルブ44が閉状態の時には、原料ガスが反応室51に導入される。逆に、圧空バルブ43が閉状態で、圧空バルブ44が開状態の時には、原料ガスが反応室51内部に導入されることなく、直接排気ポンプ45により排気される。圧空バルブ43、44の開閉を前記タイマ54が接続された制御装置53により制御し、所定の期間に亘り、原料ガスを反応室51に導入でき、その次のある所定の期間は水素ガスのみが反応室に導入される。このような成膜装置40において、アノード電極46とカソード電極47との間に、高周波電源48により高周波電力を印加する。このとき、原料ガスが反応室51に導入されている期間には、原料ガスがプラズマ49により分解されて、基板50上にシリコン膜が成膜される。また、水素ガスのみが導入されている期間には、上記シリコン膜は、水素プラズマ処理されている。

請求項（抜粋）：

導電率が5×10-10/Ω・cm以上である微結晶相を含むi型シリコン膜に不純物がイオンドーピングされたドーピング領域が配置され接合が形成された薄膜半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-251984 出願人：シャープ株式会社
特開昭63-194326
特開平4-326733

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