特許

J-GLOBAL ID：200903065722686420

半導体発光装置

発明者： 西村 晋
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208436
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040855
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 温度上昇によって発光素子の波長が変動しても受光素子の感度が低下することがない半導体発光装置を提供する。【解決手段】 標準波長がλ0に設定され、動作保障範囲の上限とされた温度における波長がλ1に変動する半導体発光素子5と、該発光素子5が出力する光を表面の被膜7を介して受光する受光素子6を備えた半導体発光装置1において、発光素子5の波長λ0の光と波長λ1の光が被膜7を透過する透過率の差を被膜の厚さを変化させて求めて、その透過率差が正の値をとる膜厚の範囲内に、被膜7の膜厚(t)を設定した。

請求項（抜粋）：

標準波長がλ0に設定され、動作保障範囲の上限とされた温度における波長がλ1に変動する半導体発光素子と、該発光素子が出力する光を表面の被膜を介して受光する受光素子を備えた半導体発光装置において、前記発光素子の波長λ0の光と波長λ1の光が被膜を透過する透過率の差を被膜の厚さを変化させて求めて、その透過率差が正の値をとる膜厚の範囲内に、前記被膜の膜厚を設定したことを特徴とする半導体発光装置。

Fターム (3件)：

5F073EA28 ,  5F073FA02 ,  5F073GA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257245   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-011780