特許

J-GLOBAL ID：200903065740988778

ヘテロアセン誘導体の製造方法

発明者： 大橋 知一 ,  渡辺 真人
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-046436
公開番号（公開出願番号）：特開2009-203183
出願日： 2008年02月27日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式(1a)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式(2a)で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式(3a)及び一般式(4a)で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法;一般式(1b)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式(2b)で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式(3b)及び一般式(4b)で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

下記一般式(1a)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、下記一般式(2a)で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、下記一般式(3a)及び下記一般式(4a)で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法。

IPC (6件)：

C07D 495/04 ,  C07F 5/02 ,  C07F 9/656 ,  C07D 495/22 ,  C07D 517/04 ,  C07D 517/22

FI (6件)：

C07D495/04 101 ,  C07F5/02 A ,  C07F9/6568 ,  C07D495/22 ,  C07D517/04 ,  C07D517/22

Fターム (24件)：

4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB03 ,  4C071BB06 ,  4C071BB07 ,  4C071BB08 ,  4C071CC22 ,  4C071CC24 ,  4C071CC25 ,  4C071DD40 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071HH01 ,  4C071KK01 ,  4C071LL10 ,  4H048AA02 ,  4H048AC29 ,  4H048BC10 ,  4H050AA02 ,  4H050WA15 ,  4H050WA26

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機半導体素子
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002008070   出願人：旭化成株式会社