薄膜トランジスタ、液晶表示装置およびそれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樺澤襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024700
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223907
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】工程数を増加させることなく低濃度不純物領域を適切に形成できる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ガラス基板1上に多結晶シリコンのシリコン層11、ゲート絶縁膜8、ゲート電極9を形成する。ゲート電極9をマスクにイオン注入装置によりリンをドープし価電子制御してn- 型のドープ領域12を形成する。ゲート電極9を含むゲート絶縁膜8上に金属層を成膜し、ランプアニールで金属膜とゲート電極9の多結晶シリコンとをシリサイド反応させる。ゲート電極9の周囲にシリサイド反応が起こり、シリサイド膜16を形成する。シリサイド膜10をマスクとしてイオン注入装置によりリンをドープし、シリサイド膜16でマスクした部分にリンを注入せず低濃度不純物領域4,5を形成し、マスクされない部分にリンを注入して価電子制御したn+ 型の高濃度不純物領域6,7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体活性層、ゲート絶縁層およびゲート電極が積層形成された薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極と反応することにより形成されたシリサイド膜と、このシリサイド膜をマスクとして前記半導体活性層に形成された低濃度不純物領域とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (3件)：

H01L 29/78 616 A , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-304934
ゲートードレイン重畳素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011144 出願人：エル・ジー・セミコン・カンパニー・リミテッド
特開昭64-042861

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