ゲートードレイン重畳素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011144
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293603
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、ゲート伝導線の抵抗を減少させ、GOLDトランジスターの電気的特性を均一化し得るゲートードレイン重畳素子及びその製造方法を提供しようとするものである。【解決手段】多結晶シリコン層のゲート伝導線表面上にシリサイド層を形成してそのゲート伝導線の抵抗を減少させ、該シリサイド層の側面下方に該シリサイド層を所定長さだけ拡張し、ゲートとソース/ドレインとが重畳された領域の下部基板内に、ソース/ドレイン領域の一部であるn- 拡散領域を形成し、該n- 拡散領域のドーピング濃度及び整合の深さを均一にさせ、GOLDトランジスターの電気的特性を均一化し得るゲートードレイン重畳素子及びその製造方法が提供されている。

請求項（抜粋）：

ゲートードレイン重畳素子であって、弟1導電形の基板と、該基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に所望のパターンに形成されたゲート伝導線と、該ゲート伝導線を被覆し前記ゲート絶縁膜上所定領域まで拡張された導電層と、でなるゲートと、該導電層の拡張領域下部の基板内に形成された弟2導電形の低濃度拡散領域と、該低濃度拡散領域に接して形成された弟2導電形の高濃度拡散領域と、を備えたゲートードレイン重畳素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/28 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

MOS型半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-185993 出願人：日本電気株式会社
特開平2-161733
特開平4-003939

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