特許

J-GLOBAL ID：200903065757044269

荷電ビーム照射方法、半導体装置の製造方法および荷電ビーム照射装置

発明者： 阿 部 秀 昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  箱崎 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349460
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116795
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 荷電ビームの走査方向の影響を受けることなく任意のパターン形状の情報を取得する。【解決手段】 検査対象であるパターンP1のエッジEP1の形状情報からパターンエッジEP1にほぼ直交する第一の線群CLoとパターンエッジEP1にほぼ平行な第二の線群CLpとを作成し、これらの線群CLo,CLpで画定される格子群が線群CLoに沿った走査方向SDaに順次走査されるように電子ビームEBの照射位置および照射順序を決定し、この照射順序に従って上記照射位置を電子ビームEBで順次走査する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

検査対象のパターンのエッジの形状情報を取得する手順と、 前記パターンエッジにほぼ直交する第一の線群を作成する手順と、 前記パターンエッジにほぼ平行な第二の線群を作成する手順と、 前記第一の線群と前記第二の線群とで画定される領域をそれぞれが荷電ビームの照射位置を含む格子群と規定する手順と、 前記第一または前記第二の線群の方向で前記格子群が順次走査されるように前記領域への前記荷電ビームの照射順序を決定する手順と、 前記照射順序に従って前記荷電ビームで前記パターンが形成された被検物を走査する手順と、 を備える荷電ビーム照射方法。

IPC (6件)：

H01L21/66 ,  G21K1/093 ,  G21K5/00 ,  G21K5/04 ,  H01J37/147 ,  H01J37/28

FI (6件)：

H01L21/66 J ,  G21K1/093 S ,  G21K5/00 R ,  G21K5/04 C ,  H01J37/147 B ,  H01J37/28 B

Fターム (12件)：

4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106BA10 ,  4M106CA38 ,  4M106DB05 ,  4M106DB18 ,  4M106DB19 ,  4M106DB30 ,  5C033FF03 ,  5C033UU01 ,  5C033UU05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子ビーム照射装置および電気信号検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-316861   出願人：株式会社東芝