特許
J-GLOBAL ID：200903065765046238

MEMS振動子の製造方法及びMEMS振動子

発明者：
五十嵐 泰史

五十嵐 泰史 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 大垣 孝 ,  岡田 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-077538
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244509
出願日： 2007年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】マイクロローディング効果によるエッチング速度のバラツキを均一にし、寸法制御性に優れた共振器を形成する。【解決手段】両端が基体に固定されていて振動方向に振動する発振子と、発振子に平行に基体に振動不能に固定されていて、発振子の両側に1本以上ずつ配置された電極を備えたMEMS振動子の製造に用いるエッチングマスクであって、発振子の両端を除いた主面の領域を被覆する犠牲膜の全面に形成された導電性膜30上の発振子形成予定領域34を被覆する発振子用マスクパターン36と、導電性膜上の電極形成予定領域38を被覆する電極用マスクパターン40とを備え、発振子用マスクパターン及び電極用マスクパターンの振動方向に関する幅を同一とし、かつ発振子用マスクパターンと電極用マスクパターンとの間の間隔、及び、隣接する電極用マスクパターン間の間隔とを同一とする。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基体の主面上で振動方向に振動する振動部と、該振動部の端部に接続され、かつ前記基体に固定された固定部とを備えた発振子、及び該発振子を挟んで設けられた電極を有するMEMS振動子を製造するに当たり、 (a)前記固定部の形成予定領域を除いた前記主面を被覆する犠牲膜を形成する工程と、 (b)前記主面の上側全面に、前記犠牲膜を覆うように導電性膜を形成する工程と、 (c)前記導電性膜上に、発振子形成予定領域を覆う発振子用マスクパターン及び電極形成予定領域を覆う電極用マスクパターンを互いに離間して形成する工程と、 (d)前記発振子用マスクパターン及び前記電極用マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記導電性膜に対してドライエッチングを行って、前記発振子及び前記電極を形成する工程と、 (e)前記犠牲膜を除去する工程とを備えており、 前記発振子用マスクパターンは、一定幅で直線的に延在している振動部用マスクパターン部と、その端部に結合している固定部用マスクパターン部とを有しており、 前記電極用マスクパターンは、前記発振子用マスクパターンを挟んで互いに鏡像関係に設けられた第1電極子群用マスクパターン部及び第2電極子群用マスクパターン部を有しており、 前記第1電極子群用マスクパターン部及び前記第2電極子群用マスクパターン部のそれぞれは、一定幅で直線的に延在し、かつ互いに一定の間隔で離間して設けられた、電極子形成のための複数の細条マスクパターン部を有しており、 前記振動部用マスクパターン部の幅と前記細条マスクパターン部の幅を実質的に同一としてあり、 前記振動部用マスクパターン部及び該振動部用マスクパターン部に隣接する細条マスクパターン部間の間隔と、互いに隣接する細条マスクパターン部間の間隔とを実質的に同一としてある ことを特徴とするMEMS振動子の製造方法。
IPC (4件)：
H03H 3/007 ,  H03H 9/24 ,  B81C 1/00 ,  B81B 3/00
FI (4件)：
H03H3/007 Z ,  H03H9/24 Z ,  B81C1/00 ,  B81B3/00
Fターム (11件)：
3C081AA18 ,  3C081BA44 ,  3C081BA48 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA23 ,  3C081DA03 ,  3C081EA22 ,  5J108AA01 ,  5J108KK03 ,  5J108MM11
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM