特許

J-GLOBAL ID：200903065768627444

電界効果型トランジスタ

発明者： 水田 正志 ,  葛原 正明 ,  梨本 泰信 ,  麻埜 和則 ,  三好 陽介 ,  望月 康則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268394
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100831
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 高い耐圧特性と、良好な利得特性および高周波特性を兼ね備えた電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 フィールドプレート部9とチャネル層2との間に、比誘電率8以上の高誘電体材料からなる誘電体膜4を設ける。高誘電体材料としてはたとえば酸化タンタル(Ta2O5)を用いる。

請求項（抜粋）：

表面にチャネル層が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記チャネル層とショットキ接合したゲート電極とを有し、前記ゲート電極は庇状のフィールドプレート部を備え、前記フィールドプレート部と前記チャネル層との間に、比誘電率8以上の高誘電体材料からなる誘電体膜が設けられたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (22件)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GS07 ,  5F102GS09 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-182576   出願人：松下電器産業株式会社
• ショットキーゲート型電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220362   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-096966
  
• 特開平1-096966