特許

J-GLOBAL ID：200903065786385342

半導体装置、その設計方法および設計装置

発明者： 伊藤 仁一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-251861
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076118
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 写真製版技術におけるマスクの疎密の差を解消し、なおかつその疎密解消のために設ける新たな構造がクロストークノイズの問題をもたらさないようにする。【解決手段】 半導体装置は、各層の本来疎になる部分にはダミーパターン4c,4d,14c,14d,24を備えており、これらのダミーパターンは、電源配線25およびグランド配線26のいずれか一方である基準配線と電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

写真製版技術を用いて製造を行なう半導体装置において、フォトマスクの配置の疎密差に起因して、疎の部分で生じる露光時のパターニング精度の劣化を解消するために前記疎密差を緩和するように設けられたダミーパターンを備える半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/82 ,  G06F 17/50 658 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

G06F 17/50 658 V ,  G06F 17/50 658 K ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/82 C ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/04 D

Fターム (35件)：

5B046AA08 ,  5B046BA06 ,  5F033UU01 ,  5F033VV01 ,  5F033VV03 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033XX00 ,  5F033XX23 ,  5F038BH10 ,  5F038CA17 ,  5F038CA18 ,  5F038CD02 ,  5F038CD05 ,  5F038CD09 ,  5F038CD10 ,  5F038CD12 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F064EE03 ,  5F064EE14 ,  5F064EE15 ,  5F064EE23 ,  5F064EE26 ,  5F064EE32 ,  5F064EE36 ,  5F064EE42 ,  5F064EE43 ,  5F064EE46 ,  5F064EE47 ,  5F064EE52 ,  5F064EE60 ,  5F064HH06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 集積回路構造の処理のためにパターンデザインを改善するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-333819   出願人：エルエスアイロジックコーポレーション
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-223653   出願人：日本電気株式会社