特許
J-GLOBAL ID：200903065796844388

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
中澤 敏志

中澤 敏志 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について

, 
田中 毅

田中 毅 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-017647
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261642
出願日： 2006年01月26日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】ヘテロ接合を有する電界効果トランジスタにおいて、ヘテロ界面における寄生抵抗の増大を抑制し、それによって高周波特性等のトランジスタ特性を向上させる。【解決手段】アンドープGaNバッファー層2の上に、n型AlGaN電子供給層3及びn型InAlGaNキャップ層4が順に形成されている。n型InAlGaNキャップ層4の上には、n型InAlGaNキャップ層4と接し且つソース電極及びドレイン電極となるTi/Alオーミック電極5が形成されている。n型AlGaN電子供給層3とn型InAlGaNキャップ層4との界面において、それぞれの伝導帯の下端が実質的に連続する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体層の上に形成されたInx Aly Ga1-x-y N層(但し0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)と、 前記Inx Aly Ga1-x-y N層の上に形成され且つ前記Inx Aly Ga1-x-y N層と接するソース電極及びドレイン電極とを備え、 前記窒化物半導体層と前記Inx Aly Ga1-x-y N層との界面において、それぞれの伝導帯の下端が実質的に連続することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B
Fターム (37件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB23 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090490   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (4件)
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