特許
J-GLOBAL ID：200903004470005530

半導体装置およびその製造方法

発明者：
廣瀬 裕

廣瀬 裕 について

, 
上田 大助

上田 大助 について

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田中 毅

田中 毅 について

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上本 康裕

上本 康裕 について

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村田 智洋

村田 智洋 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-140251
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026671
出願日： 2004年05月10日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】 従来よりも電流駆動力の大きな窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、サファイア基板11と、サファイア基板11上に設けられたGaNからなる半導体層12と、半導体層12上に設けられた多層膜13と、多層膜13にオーミックコンタクトする電極14とを備えている。多層膜13は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にn型不純物を含む2つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、2つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極14と多層膜13との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 分極性を有する第1の半導体層と、上記第1の半導体層とは異なる分極特性を有する第2の半導体層とが交互に少なくとも一回以上積層されてなり、上記基板の上または上方に設けられた多層膜と、 上記多層膜の上に設けられたオーミック電極と を備えている半導体装置。
IPC (4件)：
H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/812
FI (4件)：
H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/50 J
Fターム (30件)：
4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN07 ,  5F102GN08 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F102HC11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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