特許

J-GLOBAL ID：200903065805355735

半導体記憶装置

発明者： 秋岡 隆志 ,  岩村 将弘 ,  内田 英明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267279
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 サイクル時間内に多くのデータを入力または出力することができること。【構成】 アドレス信号がアドレスレジスタ10,12に入力されるとアドレス信号が一定時間保持されたあとデコーダ14,16に出力される。デコーダ14,16からアドレス信号に従ったデコード信号が出力されると、メモリセルアレイ18,20から指定のデータが選択されセンスアンプ22,24を介してそれぞれ出力レジスタ26,28へ出力される。出力レジスタ26に入力されたデータは一定時間保持されたあと出力セレクタ32へ出力される。一方出力レジスタ28に入力されたデータは一定時間保持されたあと補助出力レジスタ30で更に一定時間保持されたあと出力セレクタ32へ出力される。出力セレクタ32に入力されたデータは1サイクル時間内に交互に選択され出力される。すなわち1サイクル時間内に2個のデータが交互に出力されることになる。

請求項（抜粋）：

アドレス信号を受けこのアドレス信号を一定時間保持して出力する複数のアドレス入力バッファと、各アドレス入力バッファの出力信号をデコードする複数のアドレスデコーダと、複数のメモリセルを有し各メモリセルに記憶されたデータの中から各アドレスデコーダの出力信号に従ったデータを出力する複数のメモリセルアレイと、各メモリセルアレイの出力データをそれぞれ相異なる時間だけ保持して順次出力する複数のデータ出力バッファと、各データ出力バッファの出力データを順番に選択して出力するデータ選択手段とを備えている半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/413 ,  G01D 9/00 ,  G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 J ,  G11C 11/34 362 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-345993
  
• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-245316   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平4-345993
  
• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-245316   出願人：日本電気株式会社