特許

J-GLOBAL ID：200903065818002580

全体的プレーナ装置及びその方法

発明者： アジット パランジペ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013038
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017812
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハに相互接続配線を形成可能な平担面を作るためにウェーハの表面を全体的及び局部的にプレーナ化する方法を提供する。【構成】 半導体ウェーハの表面に形成されたフィーチャ間のスペースを誘電体材料で充填する。次にウェーハを変形可能な膜で被覆し、続いてウェーハに対して均一な圧力を加えて被覆された膜を変形させることによって、全体的及び局部的プレーナ化を達成する。

請求項（抜粋）：

フィーチャ(feature) が上に形成される半導体ウェーハの表面を全体的及び局部的にプレーナ化する方法であって、イ) 前記フィーチャ間の空間を中間層の誘電体材料で充填し、ロ) ウェーハを変形可能な膜で被覆し、そしてハ) 被覆されたウェーハに均一な圧力を加えて前記膜を変形させてプレーナ表面を形成する工程を有する前記の方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-045032
  
• 特開昭62-045045
  
• 特開平2-003230
  
• 層間絶縁膜の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-103533   出願人：ソニー株式会社