特許

J-GLOBAL ID：200903065850366233

発光素子

発明者： 廣瀬 実 ,  神谷 真央
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-285430
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096117
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】 半導体層にダメージを与えることなく、屈折率差に基づく光取出しの制約を解消することのできる発光素子を提供する。【解決手段】 透明電極15の表面に熱架橋性の樹脂からなる複数のレンズ18Cを備えたレンズ部18を設けることで、透明電極15から入射する青色光をレンズ形状に基づいて集光し、効率良く外部放射させることができる。また、エッチング等によって半導体層や透明電極を加工しないので、エッチングダメージによる発光効率の低下が生じないものとできる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、 前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、 光透過性の材料によって前記透明電極上に配列されたレンズ部と、 前記レンズ部より小なる屈折率を有して前記レンズ部を覆う保護膜とを有することを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA04 ,  5F041AA34 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041EE17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-415928   出願人：三星電機株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-366803   出願人：株式会社東芝