特許

J-GLOBAL ID：200903065864768628

半導体装置及びその製造方法

発明者： 三ケ木 郁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228781
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069980
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 マイグレーションに強い金属配線を有する半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板101上に拡散層103を介して設けられた絶縁膜104a、絶縁膜104aに開口された層間接続孔105、層間接続孔105の底部に設けられた金属ケイ化物層107、絶縁膜104a及び層間接続孔105上に設けられた単層あるいは複数層の金属膜より構成される第1導電膜106a、層間接続孔105中に設けられた第2導電膜109a、第1導電膜106a及び第2導電膜109a上に設けられた第3導電膜109b、第3導電膜109b上に設けられた第4導電膜106bより構成される金属配線、よりなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に拡散層を介して設けられた絶縁膜、前記絶縁膜に開口された層間接続孔、前記層間接続孔の底部に設けられた金属ケイ化物層、前記絶縁膜及び層間接続孔上に設けられた単層あるいは複数層の金属膜より構成される第1導電膜、前記層間接続孔中に設けられた第2導電膜、前記第1導電膜及び第2導電膜上に設けられた第3導電膜、前記第3導電膜上に設けられた第4導電膜より構成される金属配線、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 D ,  H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-001873   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-044719