特許
J-GLOBAL ID:200903065869942774

高分子電解質

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-376625
公開番号(公開出願番号):特開2004-006232
出願日: 2002年12月26日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】従来の高分子電解質はイオン伝導度が低いため、取り出し電流が小さいという問題を有していた。また、0°C以下になると、一般にイオン伝導性が極端に低下するため、低温での使用に限界があった。本発明はイオン伝導度特性に優れた高分子電解質を提供する。【解決手段】分子内にアニオン基を有する高分子化合物(A)と一般式(1)で示されるアミジニウムカチオン(B)を必須構成単位とする高分子化合物(T)からなることを特徴とする高分子電解質を使用する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
分子内にアニオン基を有する高分子化合物(A)と一般式(1)で示されるアミジニウムカチオン(B)を必須構成単位とする高分子化合物(T)からなることを特徴とする高分子電解質。
IPC (6件):
H01B1/06 ,  C08K5/3442 ,  C08L57/00 ,  C08L101/02 ,  H01G9/035 ,  H01G9/038
FI (6件):
H01B1/06 A ,  C08K5/3442 ,  C08L57/00 ,  C08L101/02 ,  H01G9/02 311 ,  H01G9/00 301D
Fターム (67件):
4J002BB201 ,  4J002BC001 ,  4J002BC011 ,  4J002BC021 ,  4J002BC081 ,  4J002BC101 ,  4J002BC111 ,  4J002BC121 ,  4J002BD031 ,  4J002BD101 ,  4J002BD111 ,  4J002BD131 ,  4J002BD141 ,  4J002BD151 ,  4J002BE011 ,  4J002BE041 ,  4J002BE051 ,  4J002BF011 ,  4J002BF021 ,  4J002BG011 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG061 ,  4J002BG071 ,  4J002BG101 ,  4J002BG131 ,  4J002BH021 ,  4J002BJ001 ,  4J002BK001 ,  4J002BN001 ,  4J002BP001 ,  4J002BQ001 ,  4J002CC041 ,  4J002CC121 ,  4J002CC161 ,  4J002CC181 ,  4J002CD191 ,  4J002CF031 ,  4J002CF041 ,  4J002CF051 ,  4J002CF061 ,  4J002CF071 ,  4J002CH021 ,  4J002CH041 ,  4J002CK031 ,  4J002CK041 ,  4J002CK051 ,  4J002CL011 ,  4J002CL031 ,  4J002CL081 ,  4J002CN011 ,  4J002ER006 ,  4J002ES006 ,  4J002ET006 ,  4J002EU116 ,  4J002EU136 ,  4J002FD110 ,  4J002GQ02 ,  4J002HA05 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H029AJ06 ,  5H029AM07 ,  5H029AM16 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ11 ,  5H029HJ20
引用特許:
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る