特許

J-GLOBAL ID：200903065870461054

研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法

発明者： 岸井 貞浩 ,  中村 亘 ,  畑田 明良 ,  有本 由弘 ,  植田 成生 ,  塙 健三
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351341
公開番号（公開出願番号）：特開平10-180619
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】 Mn酸化物を砥粒とする研磨剤において、導体層に選択的に作用し酸化膜で研磨が停止する研磨剤、および酸化膜を効率的に酸化できる研磨剤を提供する。【解決手段】 MnO2 を砥粒とする研磨剤にN(CH2 CH2 OH)3 あるいはオルガノシランを添加剤として添加し、研磨剤の研磨速度を導体層に対して選択的に増大させ、Mn酸化物を砥粒とする研磨剤にシリカ、アルミナ、ジルコニアより選ばれる添加剤を添加することにより、酸化膜の研磨速度を増大させる。

請求項（抜粋）：

MnO2 よりなる砥粒と、溶媒と、添加剤とよりなる研磨剤において、前記添加剤はN(CH2 CH2 OH)3 を含むことを特徴とする研磨剤。

IPC (4件)：

B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 321

FI (4件)：

B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 D ,  H01L 21/304 321 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メカノケミカル研摩用研摩剤、および材料片を研摩する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-260086   出願人：ビューラーリミテッド
• 化学機械研磨用スラリーおよびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-127802   出願人：ソニー株式会社