特許
J-GLOBAL ID:200903065878139852
セラミックコンデンサおよびその製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-170961
公開番号(公開出願番号):特開2001-006966
出願日: 1999年06月17日
公開日(公表日): 2001年01月12日
要約:
【要約】【課題】還元雰囲気下で焼成しても、絶縁抵抗が高く、さらに高温負荷、耐湿負荷などの寿命特性や耐候性能に優れたセラミックコンデンサ、特に積層型のセラミックコンデンサ、およびその製造方法を提供する。【解決手段】誘電体セラミック層を介して少なくとも一対の電極が対向するように形成されたセラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層には、主相とは別に2次相が存在し、2次相の大きさは前記誘電体セラミック層の厚み方向において、前記誘電体セラミック層の厚みの1/3以下である。製法は、誘電体セラミック中の2次相を構成する元素の化合物を混合、熱処理、粉砕して2次相組成物原料を得る工程と、その2次相組成物原料とその他の誘電体セラミック原料とを混合し、成形し、焼成して誘電体セラミックを得るとともに、誘電体セラミックに電極を形成する工程とを備える。
請求項(抜粋):
誘電体セラミック層を介して少なくとも一対の電極が対向するように形成されたセラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層には、主相とは別に2次相が存在し、該2次相の大きさは前記誘電体セラミック層の厚み方向において、前記誘電体セラミック層の厚みの1/3以下であることを特徴とする、セラミックコンデンサ。
IPC (9件):
H01G 4/12 412
, H01G 4/12 349
, H01G 4/12 358
, H01G 4/12 364
, H01G 4/12 415
, H01G 4/12 448
, H01G 4/30 301
, H01G 4/30 311
, C04B 35/46
FI (9件):
H01G 4/12 412
, H01G 4/12 349
, H01G 4/12 358
, H01G 4/12 364
, H01G 4/12 415
, H01G 4/12 448
, H01G 4/30 301 E
, H01G 4/30 311 Z
, C04B 35/46 C
Fターム (58件):
4G031AA03
, 4G031AA04
, 4G031AA05
, 4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA10
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA28
, 4G031AA30
, 4G031BA09
, 4G031CA03
, 5E001AB01
, 5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AD00
, 5E001AE00
, 5E001AE01
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5E001AF00
, 5E001AF06
, 5E001AH01
, 5E001AH05
, 5E001AH07
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E001AJ03
, 5E082AA01
, 5E082AB01
, 5E082AB03
, 5E082BC19
, 5E082BC35
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5E082FF14
, 5E082FG06
, 5E082FG25
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG26
, 5E082GG28
, 5E082JJ03
, 5E082JJ05
, 5E082JJ12
, 5E082JJ21
, 5E082JJ23
, 5E082LL01
, 5E082LL35
, 5E082MM24
, 5E082PP03
, 5E082PP09
引用特許:
前のページに戻る