特許
J-GLOBAL ID:200903065885597092

有機マイクロドットの形成方法及び有機半導体レーザー素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-130458
公開番号(公開出願番号):特開2002-329931
出願日: 2001年04月27日
公開日(公表日): 2002年11月15日
要約:
【要約】【課題】 より汎用かつ簡便にマイクロメータースケールの有機微小構造体を自己組織的に形成することができる有機マイクロドットの形成方法及び有機半導体レーザー素子を提供する。【解決手段】 蒸着分子として末端にバルキーな置換基を有するπ共役系分子(DADSB分子)7を用い、基板としてアルカリハライド単結晶基板3を用い、真空中で前記基板3を加熱することにより、前記基板3上で自発光型π共役系分子のマイクロドットを自己形成する。
請求項(抜粋):
蒸着分子として末端にバルキーな置換基を有する自発光型π共役系分子を用い、基板としてアルカリハライド単結晶基板を用い、真空中で前記基板を加熱することにより、前記基板上で自発光型π共役系分子のマイクロドットを自己形成させることを特徴とする有機マイクロドットの形成方法。
IPC (2件):
H01S 5/30 ,  C09K 11/06
FI (2件):
H01S 5/30 ,  C09K 11/06
Fターム (7件):
5F073AA75 ,  5F073AA84 ,  5F073CA24 ,  5F073CB05 ,  5F073DA04 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献:
前のページに戻る