窒化物半導体基板の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-004689
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196558
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】窒化物からなる半導体層の形成に係る作業工数を減らして生産効率を向上させるとともに、製造コストの抑制を図る事が可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】サファイヤ基板1の主面の表面に溝パターン2を形成させた後、このサファイヤ基板1の溝パターン2が形成された面に、溝パターン2を埋めるようにSiO2膜3を形成させ、さらに、サファイヤ基板1の主面の表面が現れるまでSiO2膜3を研磨させ、最後に、研磨により現れたサファイヤ基板1の表面上にGaN膜4を選択的に成長させる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

母材基板の主面の表面に凹部を形成する第1の工程と、前記母材基板の前記凹部を形成した面に、前記凹部を埋めるようにマスク膜を形成する第2の工程と、前記凹部を残しつつ、前記第1の工程における前記母材基板の主面の表面が現れるまで前記マスク膜を研磨する第3の工程と、前記第3の工程により現れた前記母材基板の主面の表面上に窒化物からなる半導体層を選択的に成長させる第4の工程とを具備することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38

FI (2件)：

H01L21/205 , C30B29/38 D

Fターム (24件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077EE06 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045GH06 , 5F045HA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化物半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-391160 出願人：松下電器産業株式会社

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