特許
J-GLOBAL ID：200903092954218349

窒化物半導体基板の製造方法

発明者：
石田 昌宏

石田 昌宏 について

, 
上田 大助

上田 大助 について

, 
油利 正昭

油利 正昭 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391160
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353152
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 クラック等を発生させることなく、さらに、欠陥密度が小さく且つ生産性に優れた窒化物半基板を確実に得られるようにする。【解決手段】 まず、母材基板11の主面上に、窒化物半導体が実質的に成長しない材料からなり、ストライプ状に開口する複数の開口部12aを有するマスク膜12Bを形成する。次に、母材基板11上に、マスク膜12Bを介して窒化物からなる半導体層13を選択的に成長する。次に、半導体層13における母材基板11との界面にレーザ光を照射して、半導体層13を母材基板11から剥離することにより、半導体層13から窒化物半導体基板13Aを形成する。
請求項（抜粋）：
母材基板の主面上に、窒化物半導体が実質的に成長しない材料からなり、複数の開口部を有するマスク膜を形成する第1の工程と、前記母材基板上に、前記マスク膜を介して窒化物からなる半導体層を選択的に成長する第2の工程と、前記半導体層における前記母材基板との界面にレーザ光を照射して、前記半導体層を前記母材基板から剥離することにより、前記半導体層から半導体基板を形成する第3の工程とを備えていることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 D
Fターム (28件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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