特許
J-GLOBAL ID:200903065901894167
ダイアモンドを被覆した電極を使用してペルオクソ二硫酸を電気化学的に製造する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-528231
公開番号(公開出願番号):特表2003-511555
出願日: 2000年10月04日
公開日(公表日): 2003年03月25日
要約:
【要約】本発明はペルオクソ二硫酸およびペルオクソ二硫酸塩の電気化学的製造方法に関し、アノードとして有利には完全に予備極性化されていない電極を使用し、電極はドープしたダイアモンド層を備えている。
請求項(抜粋):
硫酸の電気化学的酸化によりペルオクソ二硫酸およびペルオクソ二硫酸塩を電気化学的に製造する方法において、アノード(5)としてドープしたダイアモンド層(3)を有する電極を使用することを特徴とするペルオクソ二硫酸およびペルオクソ二硫酸塩を電気化学的に製造する方法。
IPC (4件):
C25B 1/30
, C25B 11/02
, C25B 11/04
, C25B 11/06
FI (4件):
C25B 1/30
, C25B 11/02
, C25B 11/04 A
, C25B 11/06 Z
Fターム (21件):
4K011AA04
, 4K011AA10
, 4K011AA21
, 4K011AA24
, 4K011AA25
, 4K011AA29
, 4K011CA03
, 4K011CA04
, 4K011DA10
, 4K021AB15
, 4K021BA04
, 4K021BB03
, 4K021BC09
, 4K021DB05
, 4K021DB11
, 4K021DB12
, 4K021DB14
, 4K021DB15
, 4K021DB18
, 4K021DB21
, 4K021DC11
引用特許: