特許

J-GLOBAL ID：200903065914928354

エッチング方法

発明者： 村瀬 ゆかり ,  吉田 孝 ,  川久保 隆 ,  矢吹 元央
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055888
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250503
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 貴金属薄膜を選択的にエッチングすることにより、半導体装置の貴金属電極および貴金属配線を微細加工する方法を提供する。【構成】 貴金属薄膜の微細パターン形成に際して、ハロゲン単体、ハロゲン化塩および有機溶媒の3種を少なくとも含むエッチング液を使用することを特徴とし、このエッチング液により貴金属を所定のエッチング用マスク材を用いて選択的にエッチングする方法である。エッチング液の有機溶媒は特に、ハロゲンあるいは下地膜である誘電体膜や金属膜と反応しない有機溶媒が好ましく、芳香族炭化水素、アルコール、エステル、ニトリル、ニトロ化合物ハロゲン化炭化水素などが適し、また、ハロゲン化塩は、界面活性剤的な性質を持つものが良い。ハロゲン単体は、電気陰性度が高い方が好ましく、さらに有機溶媒と反応しない成分が適する。

請求項（抜粋）：

ハロゲン単体と、ハロゲン化塩と、有機溶媒とを少なくとも含むエッチング液を用いて半導体装置の表面に形成された貴金属薄膜を所定のマスク材を用いて選択的にエッチングし、所望の貴金属薄膜のパターンを得ることを特徴とするエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/88 C ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/306 F ,  H01L 27/10 621 Z