特許
J-GLOBAL ID：200903065920972683
縦型MISFET及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038287
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238877
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ構造を有する縦型MOSFETにおいてオン抵抗を増加させることなく、高耐圧化を図る。【解決手段】 p型ベース領域3はトレンチ4よりも深く形成され、このトレンチ4の直下には、n-型エピタキシャル層2に接してn+型半導体基板1よりも不純物濃度の高いn++型半導体領域9が形成されている。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域となる第1導電型半導体基板に第2導電型ベース領域が形成され、該ベース領域に形成されたトレンチ内にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記トレンチの周囲の前記ベース領域に第1導電型ソース領域が形成されてなる縦型MISFETであって、前記ベース領域は前記トレンチよりも深く形成され、かつ、そのトレンチの直下に前記第1導電型半導体基板よりも不純物濃度の高い第1導電型半導体領域が形成されていることを特徴とする縦型MISFET。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 G
, H01L 29/78 658 B
