特許

J-GLOBAL ID：200903065932586134

半導体装置およびその製造方法

発明者： 井上 薫 ,  池田 義人 ,  廣瀬 裕 ,  西井 勝則
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-052723
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258258
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜にGaN系半導体の熱酸化膜を用いたGaN系半導体による電界効果トランジスタのリーク電流を低減し、素子の信頼性と動作電圧の向上を図った半導体装置を提供する【解決手段】 GaN系半導体上のゲート電極形成領域にGaN系半導体の熱酸化膜と絶縁膜とが順に形成され、その上にゲート電極が形成されてなる構造を有する絶縁ゲート型FETとする。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体上のゲート電極形成領域上に酸化された窒化ガリウム系半導体と絶縁膜とが順次形成され、前記絶縁膜の上にゲート電極が形成されてなる構造を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (35件)：

5F058BA01 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF52 ,  5F058BF62 ,  5F110AA12 ,  5F110AA13 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ24

引用特許：

審査官引用 (1件)

• GaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-137493   出願人：古河電気工業株式会社