特許

J-GLOBAL ID：200903065933132358

非極性a面窒化物半導体単結晶基板およびその製造方法

発明者： 申 鉉敏 ,  李 恵竜 ,  李 昌浩 ,  金 賢錫 ,  金 政敦 ,  孔 善煥
出願人/特許権者： 三星コーニング株式会社
代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-136017
公開番号（公開出願番号）：特開2005-320237
出願日： 2005年05月09日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

【課題】気孔、反りまたはクラックのない、良質の非極性a面窒化物半導体単結晶基板;およびそれを効率よく製造する方法の提供。【解決手段】厚さ130μm以上のa面({11-20}面)窒化物半導体単結晶基板;およびハイドライド気相成長法(HVPE)を用いて950〜1,100°Cに加熱したr面サファイア単結晶基材上に、a面窒化物半導体単結晶膜を30〜300μm/hrの速度で成長させた後、前記基材と分離して表面研磨処理することを含む、a面窒化物半導体単結晶基板の製造方法。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

厚さ130μm以上のa面({11-20}面)窒化物半導体単結晶基板。

IPC (3件)：

C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (37件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TB03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045EB15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許公開第2003-198837号公報
  

審査官引用 (1件)

• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社