特許

J-GLOBAL ID：200903035819303154

単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

発明者： 元木 健作 ,  笠井 仁 ,  岡久 拓司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-029897
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月29日
要約：

【要約】【課題】 貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】 GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

請求項（抜粋）：

GaN単結晶の成長における成長方向と平行な面でスライス加工することを特徴とする単結晶GaN基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DB08 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-145199   出願人：ソニー株式会社
• 窒化ガリウム系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292684   出願人：株式会社東芝
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-183446   出願人：住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価