特許

J-GLOBAL ID：200903065941975313

酸化物薄膜の熱処理方法

発明者： 松井 裕一 ,  鳥居 和功 ,  糸賀 敏彦 ,  飯島 晋平 ,  大路 譲
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-220010
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064307
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【構成】RF無電極放電によって電気的に中性な酸素ラジカルを発生せしめるラジカル源1を備え、放電管3内に酸素を導入してRFコイル2に高周波電力を印加することにより放電管内の酸素に放電を起こさせ、プラズマ放電を起こしたガス分子を放電管の内壁に衝突させ、解離させて活性な原子状酸素となし、アルミナ製アパーチャプレート4の小さな穴から真空チャンバ内に放出し、昇温されたTa2O5膜6に照射する。【効果】従来の酸素プラズマ熱処理法等に比べて、低リーク電流化でき、キャパシタ形成後の熱工程を通してもリーク電流の増大が少ないTa2O5膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

タンタル酸化膜を酸化性雰囲気中で熱処理する方法であって、熱処理は原子状酸素を前記タンタル酸化膜に照射することによって行われることを特徴とする酸化物薄膜の熱処理方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  C01G 35/00 B ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-149982   出願人：株式会社東芝