スパッタリング装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村山光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-108830
公開番号（公開出願番号）：特開2009-256740
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】スパッタリング現象を用いて基板に薄膜、特に絶縁膜を形成する装置において、プラズマ放電の安定維持の実現、およびプラズマ放電の安定性が崩れることによって引き起こされる放電空間内に配置された構成物のエッチングによる不純物の膜中への混入を防止する。【解決手段】ターゲット3の裏面に配置された磁気回路の内側磁石5と外側磁石6によって形成される磁場の磁力線52のうち、ターゲット3に対して垂直方向の成分がゼロとなる点の集合からなる線53が、対向電極などの機能を有する構造物10から少なくとも55mm以上離れるように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ターゲットの表面と、前記ターゲットに対向する位置に配置された基板を含む平面に前記ターゲットを投影してできる図形とで挟まれ、かつ前記ターゲットと前記基板との間の距離を高さとする空間の内部に、防着もしくは対向電極としての機能を付与した構造物の全部もしくは一部が含まれる構成のスパッタリング装置において、前記ターゲットの裏面に配置された磁気回路によって形成される磁場のうち、前記ターゲットに対して垂直方向の成分がゼロとなる点の集合からなる線が、前記構造物から少なくとも55mm以上離れるように構成したことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 , C23C 14/34 , H01L 21/31

FI (3件)：

C23C14/35 C , C23C14/34 C , H01L21/31 D

Fターム (11件)：

4K029BA50 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC28 , 4K029DC35 , 4K029DC40 , 4K029DC42 , 5F045AA19 , 5F045AB31 , 5F045BB08 , 5F045DP02

引用特許：

出願人引用 (1件)

スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-223195 出願人：株式会社アルバック

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