特許
J-GLOBAL ID:200903065949957020

半導体モジュール及び同半導体モジュールを用いたパワー回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-121762
公開番号(公開出願番号):特開平9-307366
出願日: 1996年05月16日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【課題】半導体モジュールを用いたパワー回路にあって電圧検出回路や放電回路等の補助回路を組み込むに、その配線のためのリード線を排除する。【解決手段】半導体モジュール2a、2b、及び3と平滑コンデンサ4a〜4cとが直流電源端子板5a、5bに並列接続されるインバータ1にあって、半導体モジュール2a、2bには各々、その給電電極206、207間に接続された抵抗器を通じて上記平滑コンデンサ4a〜4cの充電電荷を放電する放電回路61が搭載され、半導体モジュール3には、その給電電極306、307間に印加される給電電圧の電圧レベルが適正か否かを検出する電圧検出回路62が搭載される。これら放電回路61及び電圧検出回路62をそれぞれ、各半導体モジュールの外囲器に一体に組み付けられた基板上に形成したことで、これら回路を電源に接続するためのリード線が不要となる。
請求項(抜粋):
内蔵する半導体スイッチング素子への各給電電極が表面に露呈して配設された非導体外囲器と、この外囲器の内部若しくは上部に前記半導体スイッチング素子への各給電電極と各々接合される電極を有して組み付けられる基板と、この基板に形成されて前記電極間に印加される電圧を処理する補助回路と、とを具えることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (4件):
H03F 3/21 ,  B60L 3/00 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (3件):
H03F 3/21 ,  B60L 3/00 N ,  H01L 25/04 C
引用特許:
審査官引用 (4件)
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