特許

J-GLOBAL ID：200903065960997859

半導体光導波路集積型受光素子

発明者： 竹内 剛 ,  田口 剣申 ,  小松 啓郎 ,  山本 雅子 ,  浜本 貴一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146894
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018026
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 導波路部とフォトディテクタ部を高い結合効率で、歩留まり良く、低いコストで集積化した素子を提供する。【構成】 同一基板上に選択成長により形成した導波路型フォトディテクタと光導波路とを備え、選択成長時のマスク幅をフォトディテクタ部と光導波路部とで変えることにより、それぞれ吸収端波長の異なるコア層が同時に形成されていることを特徴とする。また、前記コア層がMQW層で構成されていることを特徴とする。また、フォトディテクタ部の導波路幅が光導波路部の導波路幅よりも広いことを特徴とする。また、フォトディテクタ部、及び光導波路部がn- -InP層にて埋め込まれていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも半導体コア層、半導体クラッド層が順次積層された層構造を有し、受動導波路の先端に導波路型受光素子が接続された半導体光導波路集積型受光素子であって、前記受動導波路と導波路型受光素子の接続部分で半導体コア層が途切れることなく光導波路が連続して形成されており、かつ受動導波路部の半導体コア層のバンドギャップ波長が該受光素子部のバンドギャップ波長よりも短波長であることを特徴とする半導体光導波路集積型受光素子。

IPC (2件)：

H01L 27/15 ,  H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-303982
  
• 波長選択半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-271007   出願人：日本電気株式会社