特許
J-GLOBAL ID:200903065964941866

高周波フロントエンド回路及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-218520
公開番号(公開出願番号):特開平9-064646
出願日: 1995年08月28日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【目的】 小型、高性能のフロントエンドICを提供する。【構成】 低雑音増幅器170は、入力整合用インダクタ131及び132によりRF周波数において特性インピーダンスである50Ωに整合されている。また低雑音増幅器170の出力はコンデンサ120を介してミキサ171を構成するFET102の第1ゲートに入力される。LO信号が入力されるFET102の第2ゲートは、入力整合用インダクタ133及び134により特性インピーダンスに整合されている。RF信号とLO信号はミキサ171において周波数変換され、LO信号周波数とRF信号周波数の差の周波数成分を有するIF信号を出力する。ミキサのドレイン端子には出力整合回路172が接続されており、IF周波数におけるミキサ出力を最大化している。特徴は、イメージ信号抑圧改善用キャパシタ190を接続した点である。回路全体を半導体基板に集積化している。
請求項(抜粋):
低雑音増幅器の出力端子と周波数変換器の入力端子を第1の接続点で接続し、該第1の接続点にインダクタもしくは伝送線路を接続し、該インダクタもしくは伝送線路の他方の端子を電源と接続し、前記第1の接続点と接地間にコンデンサを接続することを特徴とする高周波フロントエンド回路。
IPC (3件):
H03D 7/12 ,  H03D 7/00 ,  H04B 1/26
FI (3件):
H03D 7/12 C ,  H03D 7/00 D ,  H04B 1/26 B
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 周波数変換回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-247910   出願人:松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-009634   出願人:日本電気株式会社
  • 特開昭63-229902

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