特許
J-GLOBAL ID：200903065979186533
薄膜膜質測定装置、薄膜膜質測定方法、及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196576
公開番号（公開出願番号）：特開平8-062229
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 この発明は半導体素子等の試料表面の薄膜の電気的特性を正確に把握することを目的とする。【構成】 試料3とカンチレバー1の探針2の間に三角波電圧Vを印加し、この時に試料3表面の薄膜3aを介して流れる電流Iを探針2側で測定することによりI/V特性を求め、かつ制御回路70が試料3を支持するピエゾ素子6に電圧を印加することにより探針2と薄膜3aの間の距離を一定にして、薄膜3a表面の複数の各測定点でI/V特性の測定を行う。
請求項（抜粋）：
試料表面の薄膜上の複数の各測定点でI/V特性データを測定する測定手段と、上記測定手段で測定されたI/V特性データから表面電流分布像を形成する像形成手段と、を備えたことを特徴とする薄膜膜質測定装置。
IPC (4件)：
G01N 37/00
, G01N 27/92
, G01R 29/14
, H01L 21/66
