特許

J-GLOBAL ID：200903065980420124

有機半導体層の成膜方法、有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 泉 倫生
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-255139
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078339
出願日： 2006年09月21日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】精度良くパターニングした有機半導体層を簡単な工程で形成する有機半導体層の成膜方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に所望のパターンの帯電領域を形成する帯電領域形成工程と、形成された所望のパターンの帯電領域を有機半導体材料の溶液に接触させて、該有機半導体材料を該所望のパターンの帯電領域に吸着させる工程と、を含むことを特徴とする有機半導体層の成膜方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に所望のパターンの帯電領域を形成する帯電領域形成工程と、 前記形成された所望のパターンの帯電領域を有機半導体材料の溶液に接触させて、該有機半導体材料を該所望のパターンの帯電領域に吸着させる工程と、 を含むことを特徴とする有機半導体層の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J

Fターム (22件)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 交互積層構造を有する高分子薄膜、これを用いた光電素子、及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-138189   出願人：国立大学法人京都大学, 日本電信電話株式会社, パイオニア株式会社, 三菱化学株式会社, ローム株式会社, 株式会社日立製作所
• エレクトロルミネッセンス表示装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-207628   出願人：大日本印刷株式会社