特許

J-GLOBAL ID：200903065981805321

基板の製造方法

発明者： 東 正信
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-396148
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192494
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体となる窒化ガリウム(GaN)等の窒化物結晶を製造する際の基板として好適に使用できる、表面に窒化アルミニウム結晶層を有するサファイヤ基板を、プラズマ発生装置等の特殊な装置を使用することなく、効率的且つ簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】 単結晶サファイヤ基板の表面にカーボンブラック等のカーボン材料を塗布するなどして、反応中にサファイヤ基板表面が炭素と接触するよう西ながら窒素ガス又はアンモニアガス雰囲気中で加熱して当該表面を窒素化することにより、0.005〜50μmの厚さの結晶質窒化アルミニウムからなる層が3kgf/mm2以上の密着強度で接合したサファイヤ基板を製造する。

請求項（抜粋）：

単結晶サファイヤ基板の表面を炭素又は炭素原子含有化合物の存在下に窒素化することを特徴とする表面に結晶質窒化アルミニウムからなる層を有するサファイヤ基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/20 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/20 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077FB06 ,  4G077FE02 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045DA61 ,  5F052JA08 ,  5F052KA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037381   出願人：豊田合成株式会社
• ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素被覆硬質材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-048299   出願人：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド被覆硬質材料およびその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-187213   出願人：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド被覆部材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-084895   出願人：日本特殊陶業株式会社