半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059222
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256597
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】発光素子に逆方向の電圧が印加されても、また交流電圧で駆動する場合にも、素子の破壊や劣化を抑制し、むしろ逆に交流電圧駆動により輝度が大幅に向上する半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に発光層を形成すべくn形層2およびp形層4を含む半導体層が積層される第1の発光部16と、前記基板上にまたは前記積層される半導体層の上にさらに発光層を形成すべくn形層9およびp形層7を含む半導体層が積層される第2の発光部17とを有し、前記第1の発光部のp形層および前記第2の発光部のn形層が電気的に接続され、かつ、前記第1の発光部のn形層および前記第2の発光部のp形層が電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含む半導体層が積層される第1の発光部と、前記基板上にまたは前記積層される半導体層の上にさらに発光層を形成すべくn形層およびp形層を含む半導体層が積層される第2の発光部とを有し、前記第1の発光部のp形層および前記第2の発光部のn形層が電気的に接続され、かつ、前記第1の発光部のn形層および前記第2の発光部のp形層が電気的に接続されてなる半導体発光素子。

FI (3件)：

H01L 33/00 A , H01L 33/00 B , H01L 33/00 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭52-010090
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-175301 出願人：沖電気工業株式会社
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-175302 出願人：沖電気工業株式会社

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