特許
J-GLOBAL ID：200903066010545478

プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
高木 茂行

高木 茂行 について

, 
内田 裕

内田 裕 について

, 
田嶋 直樹

田嶋 直樹 について

, 
滝 薫

滝 薫 について

, 
岡本 昇

岡本 昇 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-179676
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092797
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】本発明は、大面積の被処理物に対して均一にプラズマを分布する。【解決手段】プラズマチャンバ2の外部に曲げ強度の強い外部補強部40を設け、この外部補強部40に止め具41を介してプラズマチャンバ2内のサイズの小さなマイクロ波共振端15を連結固定する。
請求項（抜粋）：
気密容器内に媒質ガスを供給すると共に、複数のマイクロ波導入部からマイクロ波を前記気密容器に導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより生成された活性種により前記気密容器内の被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記気密容器外に設けられた外部補強部と、この外部補強部に連結されて前記気密容器内にて、前記マイクロ波導入部を構成するマイクロ波導入窓を支持する梁構造部と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/30 572 A
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM