特許
J-GLOBAL ID：200903066017417700
光電変換素子の連続製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-333757
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150281
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高周波プラズマCVD法によるアモルファスシリコン系堆積膜の形式において、高い堆積速度のもとでの微粒子の発生を抑制し、大面積にわたって欠陥が少なく、高品質なアモルファスシリコン系堆積膜を高い成膜速度で形成する。【解決手段】 少なくとも一つのグロー放電室に、帯状基体101への膜堆積を行う空間113以外に、帯状基体との放電遮蔽手段114、帯状基体への膜堆積を行う空間との仕切板115、帯状基体へ膜堆積を行う空間からのガスの流入口116、ガスゲートからのガスの流入口117、ガスゲートからの流入ガスの加熱手段118、ガス排気口119および放電手段を有するグロー放電空間を設ける。
請求項（抜粋）：
少なくとも帯状基体の送り出し室と、複数のグロー放電室と、前記帯状基体の巻き取り室とを、前記帯状基体を移動させる方向に沿って配置し、かつ前記グロー放電室を原料ガス分離用のガスを導入するガスゲートを介して接続し、前記グロー放電室を貫通して連続的に移動する前記帯状基体上に、非単結晶シリコン系半導体の積層膜からなる光電変換素子を連続的に製造する装置において、少なくとも一つの前記グロー放電室に、前記帯状基体上への膜堆積を行う空間以外に、前記帯状基体との放電遮蔽手段、前記帯状基体上への膜堆積を行う空間との仕切板、前記帯状基体上へ膜堆積を行う空間からのガスの流入口、前記ガスゲートからのガスの流入口、前記ガスゲートからの流入ガスの加熱手段、ガス排気口および放電手段を有するグロー放電空間を設けたことを特徴とする光電変換素子の連続製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 V
, H01L 21/205
