特許
J-GLOBAL ID：200903066018531565
記録素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
和泉 良彦
, 小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-413153
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175202
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】光信号による直接的な記録再生が可能で、高信頼性、小型軽量、高記録密度、繰り返し記録・消去可能な固体型記録素子を提供すること。【解決手段】基板5の上に、第二の電極層4、高電気抵抗状態と低電気抵抗状態との間を可逆的に遷移できる相変化材料層2、光導電材料層3、導電性と光透過性とを有する第一の電極層1をこの順で積層して記録素子を構成する。第一の電極層1と第二の電極層4との間に電圧を印加し、照射光7を素子に照射すると、第一の電極層1と第二の電極層4との間に位置する光導電材料層3が導電性となり、その位置の相変化材料層2に電流8が流れ、アモルファス状態にあった相変化材料層2がその電流によって加熱され、相変化を起こして結晶領域2b(マーク)を形成し、そのマークは相変化材料層2の抵抗の変化(この場合は抵抗低下)として読み出される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された記録素子であって、導電性と光透過性とを有する第一の電極層と、第二の電極層と、前記第一の電極層と前記第二の電極層との間に介在する光導電材料層および高電気抵抗状態と低電気抵抗状態との間を可逆的に遷移できる相変化材料層とを有することを特徴とする記録素子。
IPC (3件)：
H01L45/00
, G11C11/42
, H01L27/10
H01L45/00 A
, G11C11/42 C
, G11C11/42 Z
, H01L27/10 448
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA30
, 5F083JA60
