特許
J-GLOBAL ID:200903066020212043

銅の高電流密度電解法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小林 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-386178
公開番号(公開出願番号):特開2003-183870
出願日: 2001年12月19日
公開日(公表日): 2003年07月03日
要約:
【要約】【課 題】 電解液のろ過なしでアノード不働態化及びカソード表面へのスライム付着を抑制できる銅の高電流密度電解法を提供する。【解決手段】 電解槽内に満たした電解液中に電極としてアノードとカソードとを交互に対面配列し電解液を循環させながら電流密度350 A/m2 超で銅を電解精製する銅の高電流密度電解法において、電解液に陰イオン活性剤を0.001g/ECUT以上添加し、かつ流速0.02m/s以上を付与する。
請求項(抜粋):
電解槽内に満たした電解液中に電極としてアノードとカソードとを交互に対面配列し電解液を循環させながら電流密度350 A/m2 超で銅を電解精製する銅の高電流密度電解法において、電解液に陰イオン活性剤を0.001g/ECUT 以上添加し、かつ0.02m/s以上の流速を付与することを特徴とする銅の高電流密度電解法。
IPC (2件):
C25C 1/12 ,  C25C 7/06 301
FI (2件):
C25C 1/12 ,  C25C 7/06 301 A
Fターム (14件):
4K058AA04 ,  4K058AA07 ,  4K058AA15 ,  4K058BA21 ,  4K058BB03 ,  4K058CA04 ,  4K058CA09 ,  4K058CA22 ,  4K058CA25 ,  4K058DD30 ,  4K058EB02 ,  4K058EB13 ,  4K058EB14 ,  4K058EB16
引用特許:
審査官引用 (3件)

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