特許

J-GLOBAL ID：200903066043106003

半導体装置およびその製造方法

発明者： 寺沢 義雄
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020417
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213607
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧で且つ発熱による損失が小さく、製造が容易で安価な半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板11の表面に、シリコンよりもバンドギャップ巾の大きな半導体材料層として低不純物濃度のシリコンカーバイド層12をエピタキシャル成長により形成し、その上にエピタキシャルにより高不純物濃度のシリコン層13を形成して半導体基板を構成し、シリコン層にシリコンカーバイド層まで達する凹部を形成し、その内壁にシリコン酸化膜14を形成し、このシリコン酸化膜の上にゲート電極15を形成する。前記シリコン層13のシリコン酸化膜14と接する部分にエミッタ領域16を形成し、シリコン基板の裏面にドレイン電極18を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板に形成された制御電極領域と、この制御電極領域に印加する電圧によって半導体基板の一方の表面から他方の表面に向けての電流の流れを制御するようにした縦型半導体装置において、前記半導体基板を、シリコンと、シリコンよりもバンドギャップの大きな広バンドギャップ半導体材料より成るハイブリッド構造の半導体基板を以て構成したことを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-042467   出願人：松下電工株式会社
• 特開平2-007472
  
• 特開昭56-013773