特許

J-GLOBAL ID：200903066056094411

新規な銅錯体及び当該銅錯体を用いた銅含有薄膜の製造方法

発明者： 角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  金戸 広樹
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039129
公開番号（公開出願番号）：特開2007-051124
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】新規な銅錯体及びより低い基盤温度で銅含有薄膜を製造する方法の提供。【解決手段】式(1)(R1〜R2は、(1)R1=エチル基、R2=メチル基、(2)R1=エチル基、R2=水素原子、(3)R1=t-ブチル基、R2=水素原子。)で示される銅錯体。当該銅錯体を銅供給源として用いた、化学気相蒸着法による銅含有薄膜の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一般式(1)

IPC (4件)：

C07F 7/18 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

C07F7/18 H ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R

Fターム (22件)：

4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ20 ,  4H049VQ24 ,  4H049VR23 ,  4H049VR41 ,  4H049VU24 ,  4H049VW02 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB91 ,  4H050WB13 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD45

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 銅錯体およびこれを用いた銅含有薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-261357   出願人：宇部興産株式会社