特許

J-GLOBAL ID：200903066086115545

絶縁分離基板及びその製造方法

発明者： 松井 正樹 ,  大庭 浩美 ,  氷見 啓明
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148849
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008124
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】この発明は、素子形成前の絶縁分離基板の反り量を所望の値に容易に制御可能にすることを特徴とする。【構成】第1シリコン基板35と第2シリコン基板36に、酸化性雰囲気中で熱処理を施して、それぞれ所定の厚さの酸化膜37、38及び39、40を形成する。この後、第1シリコン基板35と第2シリコン基板36を密着して、窒素雰囲気中に於いて熱処理を行い、貼り合わせ基板を作製する。次いで、第1シリコン基板35の酸化膜37側の面を研削して、この研削した面を研磨することにより、所望の膜厚のSOI層41を得る。そして、上記酸化膜38、39から作製された埋込み酸化膜42の膜厚と裏面の酸化膜40の膜厚との膜厚差から、所望の反り量の絶縁分離基板43を得ることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも一方の面に酸化シリコン膜が形成された第1シリコン基板と、上記酸化シリコン膜が形成された面で上記第1シリコン基板と貼り合わされるもので、その一方の面及び他方の面に酸化シリコン膜が形成された第2シリコン基板とを有し、上記第1シリコン基板を所定の厚みまで研削、研磨して形成される絶縁分離基板に於いて、上記第1及び第2シリコン基板間に埋設された上記酸化シリコン膜の膜厚と、上記第2のシリコン基板の他方の面に形成された酸化シリコン膜との膜厚差に基いて、該基板の反り量を制御することを特徴とする絶縁分離基板。

IPC (4件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-302740
  
• 特開平3-250615
  
• 誘電体分離基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-340865   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社