特許

J-GLOBAL ID：200903066100294466

高抵抗性GaNバルク結晶の製造方法

発明者： ポロフスキ,シルヴェステル ,  ボチコフスキ,ミハウ ,  グジェゴシ,イザベラ ,  クルコフスキ,スタニスワフ ,  レシュチュンスキ,ミハウ ,  ウゥチュニク,ボスレワフ ,  ススキ,タデウシュ ,  ヴルブレフスキ,ミロスワフ
出願人/特許権者： ツェントルム バダニ ヴィソコチシニエニオヴィフ ポルスキエイ アカデミイ ナウク
代理人 (1件)： 武石 靖彦 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-502187
公開番号（公開出願番号）：特表2002-513375
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 2002年05月08日
要約：

【要約】本発明による方法は、高い抵抗率を有するバルクGaN結晶の製造を可能にするものである。この方法は、ガリウムと元素周期表第II族金属であるマグネシウム、カルシウム、亜鉛、ベリリウム、カドミウムの少なくともいずれかを含む溶融金属混合物中の原子窒素溶融相から、高い窒素ガス圧と所定の温度勾配においてGaNを結晶化することにより達せられる。これらの結晶は、オプトエレクトロニック分野におけるホモエピタキシャル層及び構造体を被着するための優れた単結晶GaN基板の製造に用いることができる。

請求項（抜粋）：

1.原子濃度90パーセント(at.%)以上のガリウム及び原子濃度0.01 〜10パーセントの元素周期表第II族金属であるマグネシウム、カルシウム 、亜鉛、ベリリウム、カドミウムの少なくともいずれかを含む溶融金属混合物 中の原子窒素溶融相から、窒素ガス圧0.5〜2.00GPaにおいて結晶化 することを特徴とする高抵抗性GaNバルク結晶の製造方法。2.結晶化温度が1300〜1700°Cであることを特徴とする請求項1記載の 高抵抗性GaNバルク結晶の製造方法。3.温度勾配が10°C/cm以下であることを特徴とする請求項1記載の高抵抗 性GaNバルク結晶の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭51-151299
  
• 窒化物結晶の製造方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-164811   出願人：日立電線株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• The microstructure of gallium nitride monocrystals grown at high pressure
• Thermodynamical properties of III-V nitrides and crystal growth of GaN at high N2 pressure
• Equilibrium pressure of N2 over GaN and high pressure solution growhth of GaN
• Preparation of GaN single crystals using a Na Flux