特許

J-GLOBAL ID：200903066106077793

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松本 直哉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142110
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335450
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 コンタクト抵抗のばらつきが小さく、製造工程数をほとんど増加させることなく、寄生容量の小さい抵抗素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、絶縁膜上に形成された第1の導体層底面まで層間膜上から貫通するコンタクト穴と、コンタクト穴を埋めかつ上層配線層に接続した導電膜またはコンタクト穴を埋めかつ上層配線層となる金属層を有する。なお、これら第1の導電体層がポリシリコン抵抗体であることが望ましい。そして本発明の製造方法は、第1の導電層の一部を選択的に除去し、第1の導電層上に第2の絶縁膜あるいはさらに第3の絶縁膜を設け、これらの絶縁膜に第1の導電膜を貫通するコンタクト穴を設け、コンタクト穴を導電膜または配線金属で埋設し、素子相互接続用配線層を所定の形状に形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜上の一部に形成された第1の導電体と、前記第1の絶縁膜及び前記第1の導電体上に形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜上に形成された第2の導電体とを有する半導体装置において、コンタクト穴が前記第2の絶縁膜に開けられ、前記第1の導電体側面が該コンタクト穴の側面において第3の導電対に接し、該第3の伝導対が前記第2の導電体に接続された構造を有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-311394   出願人：日本電気株式会社