半導体製造装置用反応管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118836
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】気相反応を伴うCVD膜形成において、ガス濃度を制御することにより、ウェハ外周部での気相反応を抑制して、膜厚均一性を向上する。【解決手段】反応生成物の堆積する面積を拡大させるために、インナチューブ20に凹凸面21を形成する。この凹凸面21は、ウェハW外周部に対向するインナチューブ20の内壁面に形成する。これによりウェハ外周部でのガス濃度を低くし、ウェハ外周部での成膜を抑制して、厚くなりがちなウェハ外周部の膜厚を薄くする。

請求項（抜粋）：

基板の外周部に対向する内壁面を、反応生成物の堆積する面積を拡大させるために凹凸面で形成した半導体製造装置用反応管。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/22 511

FI (3件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/44 B , H01L 21/22 511 S

Fターム (24件)：

4K030AA06 , 4K030BA44 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030GA06 , 4K030HA14 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030KA05 , 4K030KA09 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB10 , 5F045DP19 , 5F045DQ04 , 5F045EB02 , 5F045EC01 , 5F045EC02 , 5F045EC05 , 5F045EM08

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-346219
特開平4-154117
真空容器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-087578 出願人：京セラ株式会社

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