特許

J-GLOBAL ID：200903066119276779

均一性の高いスピネルLi▲下1+X▼Mn▲下2-X▼O▲下4▼層間化合物及びその作成方法

発明者： マネフ,ヴェセリン ,  フォークナー,タイタス
出願人/特許権者： エフエムシー・コーポレイション
代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-521350
公開番号（公開出願番号）：特表2000-501688
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】4Vのリチウム二次電池およびリチウムイオン二次電池用の低格予歪み及び規則性が高く、均一な構造のスピネルLi1+XMn2-XO4層間化合物を製造する新規な方法が提供されている。スピネルLi1+XMn2-XO4層間化合物を製造する新規な方法は、少なくとも一つのマンガン化合物を少なくとも一つのリチウム化合物と混合し、対応するガス流量の3通りの異なる温度範囲で混合物を焼成して、スピネルLi1+XMn2-XO4層間化合物を生成することからなる。スピネルLi1+XMn2-XO層間化合物は、約0.01から0.05の間の平均のX値を有し、かつCuKα1線を使用して(400)と(440)面の回折角度2θでのX線回折ピークで約0.1°と0.15°の間の半値全幅を有する。このスピネルLi1+XMn2-XO4層間化合物はリチウム二次電池およびリチウムイオン二次電池の正電極に使用され、高い比容量と長いサイクル寿命を有する電池が提供される。

請求項（抜粋）：

(a)マンガン塩及びマンガン酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一つのマンガン化合物をリチウム塩及びリチウム酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一つのリチウム化合物と混合し、(b)工程(a)からの混合物を流速が約0.5 l/ghと5.0 l/ghの間の流量のガス流の存在下で約400°Cと500°Cの間の温度で焼成して、酸素リッチのスピネルを生成し、(c)工程(b)からの酸素リッチのスピネルを、流速が約0.1 l/ghと1.0 l/ghの間の流量のガス流の存在下で約500°Cと600°Cの間の温度で焼成し、歪んだLi1+XMn2-XO4スピネルを生成し、(d)工程(c)からの歪んだ化学量論的Li1+XMn2-XO4スピネルを流速が約0.005 l/ghと0.2 l/ghの間の流量のガス流の存在下で700°Cと800°Cの間の温度で焼成し、規則的な化学量論的Li1+XMn2-XO4スピネルを生成することからなるスピネルLi1+XMn2-xO4層間化合物を製造する方法。

IPC (4件)：

C01G 45/00 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/58

FI (4件)：

C01G 45/00 ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/58

引用特許：

審査官引用 (1件)

• リチウム二次電池用LixM▲n2▼▲O4▼の製造方法とその非水電池への応用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-071234   出願人：芳尾真幸, 小沢昭弥